产品中心
| 零件编号： | XP10NA011J |
|---|---|
| 产品分类： | 单 FET、MOSFET |
| 制造商： | YAGEO XSEMI |
| 描述： | MOSFET N-CH 100 |
| 封装： | - |
| 包装： | 管子 |
| 数量： | 1000 |
| RoHS： | 1 |
数量
价格
总价
1
$3.6840
$3.6840
80
$2.5080
$200.6400
560
$2.2320
$1,249.9200
1040
$1.9080
$1,984.3200
2000
$1.8000
$3,600.0000
5040
$1.7280
$8,709.1200
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | YAGEO XSEMI |
| 系列 | XS10NA011 |
| 包裹 | 管子 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA |
| 安装类型 | Through Hole |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 48.5A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 11mOhm @ 30A, 10V |
| 功耗（最大） | 1.13W (Ta), 50W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 4V @ 250µA |
| 供应商设备包 | TO-251S |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 6V, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 100 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 56 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 2288 pF @ 80 V |
