产品中心

UF3C065080T3S
  • image of 单 FET、MOSFET>UF3C065080T3S
  • image of 单 FET、MOSFET>UF3C065080T3S
零件编号 UF3C065080T3S
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 UnitedSiC (Qorvo)
描述 MOSFET N-CH 650
封装 -
包装 管子
数量 7559
RoHS 1
库存: 7559
总数

数量

价格

总价

1

$6.3120

$6.3120

50

$5.0400

$252.0000

100

$4.6680

$466.8000

获取报价信息
image of 单 FET、MOSFET>UF3C065080T3S
image of 单 FET、MOSFET>UF3C065080T3S
零件编号
UF3C065080T3S
产品分类
单 FET、MOSFET
制造商
UnitedSiC (Qorvo)
MOSFET N-CH 650
-
管子
7559
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商UnitedSiC (Qorvo)
系列-
包裹管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-220-3
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C31A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs100mOhm @ 20A, 12V
功耗(最大)190W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id6V @ 10mA
供应商设备包TO-220-3
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)12V
Vgs(最大)±25V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs51 nC @ 15 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1500 pF @ 100 V
captcha

服务时间: 周一至周六9:00-18:00
请选择在线客服:
86-13826519287‬

服务时间: 周一至周六9:00-18:00
请选择在线客服:

服务时间: 周一至周六9:00-18:00
请选择在线客服:
点击这里给我发消息
0