产品中心
| 零件编号： | TP44100SG |
|---|---|
| 产品分类： | 单 FET、MOSFET |
| 制造商： | Tagore Technology |
| 描述： | GAN FET HEMT 65 |
| 封装： | - |
| 包装： | 卷带式 (TR) |
| 数量： | 2969 |
| RoHS： | |
数量
价格
总价
1
$6.6000
$6.6000
10
$5.7000
$57.0000
100
$4.9560
$495.6000
500
$3.9600
$1,980.0000
3000
$3.9600
$11,880.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Tagore Technology |
| 系列 | - |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 22-PowerVFQFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 118mOhm @ 500mA, 6V |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.5V @ 11mA |
| 供应商设备包 | 22-QFN (5x7) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 0V, 6V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 650 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 3 nC @ 6 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 110 pF @ 400 V |
