产品中心
| 零件编号： | CGD65B130S2-T13 |
|---|---|
| 产品分类： | 单 FET、MOSFET |
| 制造商： | Cambridge GaN Devices |
| 描述： | 650V GAN HEMT, |
| 封装： | - |
| 包装： | 卷带式 (TR) |
| 数量： | 4885 |
| RoHS： | 1 |
数量
价格
总价
1
$7.7040
$7.7040
10
$6.4680
$64.6800
100
$5.2320
$523.2000
500
$4.6560
$2,328.0000
1000
$3.9840
$3,984.0000
2000
$3.7560
$7,512.0000
5000
$3.6000
$18,000.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Cambridge GaN Devices |
| 系列 | ICeGaN™ |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 8-PowerVDFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 182mOhm @ 900mA, 12V |
| 场效应管特性 | Current Sensing |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 4.2V @ 4.2mA |
| 供应商设备包 | 8-DFN (5x6) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 9V, 20V |
| Vgs（最大） | +20V, -1V |
| 漏源电压 (Vdss) | 650 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 2.3 nC @ 12 V |
