产品中心
| 零件编号： | CGD65A130S2-T13 |
|---|---|
| 产品分类： | 单 FET、MOSFET |
| 制造商： | Cambridge GaN Devices |
| 描述： | 650V GAN HEMT, |
| 封装： | - |
| 包装： | 卷带式 (TR) |
| 数量： | 3352 |
| RoHS： | 1 |
数量
价格
总价
1
$7.5000
$7.5000
10
$6.4320
$64.3200
100
$5.3520
$535.2000
500
$4.7280
$2,364.0000
1000
$4.2600
$4,260.0000
3500
$3.9840
$13,944.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Cambridge GaN Devices |
| 系列 | ICeGaN™ |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 16-PowerVDFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 182mOhm @ 900mA, 12V |
| 场效应管特性 | Current Sensing |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 4.2V @ 4.2mA |
| 供应商设备包 | 16-DFN (8x8) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 12V |
| Vgs（最大） | +20V, -1V |
| 漏源电压 (Vdss) | 650 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 2.3 nC @ 12 V |
